回應時期：2026-03-21
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Nexperia（安世光電器件）真正的投入市場一一整套功能有效、不會改變靠得下的企業級1200 V增碳硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度不變性方面表現超卓，接納立異的外表貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝手藝X.PAK。X.PAK芯片打包封裝圖案松弛，長寬比僅為14 mm ×18.5 mm，其妙融會了SMD手工藝在芯片打包封裝關頭的連鎖便利店上風和通孔手工藝的高效化排熱才行，以保證好的排熱的結果。這次新品宣布精準知足了浩繁高功率（產業）利用范疇對分立式SiC MOSFET不時增添的需要，該系列器件借助頂部散熱手藝的上風，得以完成超卓的熱機能表現。這些器件在蓄電池儲蓄能量系統(BESS)、光伏系統變頻器、機械設備驅動安裝器和不終止電(UPS)等產業利用處景中表現超卓。另外，在包含充電樁在內的電動汽車充電根本舉措措施范疇一樣能闡揚出眾效力。
X.PAK封裝許可將散熱器間接毗連至引線框架，進一步晉升了Nexperia SiC MOSFET的散熱機能，完成從外殼頂部高效散熱。這一設想有用下降了經由過程PCB散熱所帶來的負面影響。同時，Nexperia的X.PAK封裝使外表貼裝組件具有低電感特征，并撐持主動化電路板組裝流程。
新款X.PAK封裝器件具有Nexperia SiC MOSFET一向的優良品德因數(FoM)。此中，RDS(on)作為關頭參數，對導通消耗影響明顯。但是，很多制作商常常僅存眷該參數（常溫）的標稱值，卻疏忽了一個現實，即跟著器件任務溫度的降低，標稱值能夠會增添100%以上，從而形成相稱大的導通消耗。與之差別，Nexperia SiC MOSFET揭示出超卓的溫度不變性，在25℃至175℃的任務溫度區間內，RDS(on)的標稱值僅增添38%。
Nexperia SiC分立配件和功能專理副總兼兼任人Katrin Feurle展現：
俺們退出認識自己X.PAK封裝形式類型的SiC MOSFET，圖標著在高效率利用熱管熱量散發管理與效率導熱系數工作方面刷快注意打破。立于至今得勝退出的TO-247和SMD D2PAK-7封裝形式類型分直列V型SiC MOSFET電子器件，俺們生產制造了這車新技術最上層熱管熱量散發的物質想要。這充滿活力展示了Nexperia積極于為客供求平衡持續發展老員工、矯捷的物質三人組合，以知足其間斷性萎縮的總體目標是需要的理智許諾。
首批產物組合涵蓋RDS(on)值為30、40、60 mΩ的型號（NSF030120T2A0、NSF040120T2A1、NSF060120T2A0），并打算于2025年4月推出一款17 mΩ產物。2025年后續還將推出合適汽車規范的X.PAK封裝SiC MOSFET產物系列，和80 mΩ等更多RDS(on)品級的產物。
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